氧化(Oxidation)工藝的主要目的是在硅襯底表面形成SiO2氧化膜。日本HD熱氧化加工諧波SHD-14-50-2SH SiO2在微電子和微系統(tǒng)中的主要應(yīng)用包括：鈍化晶體表面，形成化學(xué)和電的穩(wěn)定表面，日本HD熱氧化加工諧波SHD-14-50-2SH即器件表面保護(hù)或鈍化膜；作為后續(xù)工藝步驟（擴(kuò)散或離子注入）的掩模（摻雜掩模、刻蝕掩模）；形成介質(zhì)膜用于器件間的隔離或作器件結(jié)構(gòu)中的絕緣層（非導(dǎo)電膜）；在襯底或其他材料間形成界面層（或犧牲層）。

熱氧化是指在高溫爐中反應(yīng)，形成較厚的SiO2氧化層的過程，日本HD熱氧化加工諧波SHD-14-50-2SH也稱為熱生長法。根據(jù)不同的作用，氧化層的厚度從60?-10000 ?。氧化溫度一般在900℃-1200℃。